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参数目录41117
> SIE878DF-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V POLARPAK
型号:
SIE878DF-T1-GE3
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 25V POLARPAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
SIE878DF-T1-GE3 PDF
标准包装
1
系列
TrenchFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
45A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5.2 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 12.5V
功率 - 最大
25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
10-PolarPAK?(L)
供应商设备封装
10-PolarPAK?(L)
包装
剪切带 (CT)
其它名称
SIE878DF-T1-GE3CT
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